高纯蒙脱石的表面电性
来源：www.baotouhzy.com 发布时间：2022年07月21日
高纯蒙脱石的表面电性
高纯蒙脱石的表面电性来自于以下三方面：
破键电荷：产生于四面体片的基面、八面体片的端面，系Si-O破键和Al-O（OH）破键的水解作用所致。当pH值小于7时，破键吸引H+，表面带正电；当pH值大于7时，表面带负电。
八面体片中离子离解形成的电荷：在酸性介质中，OH-离解占优势，端面电荷为正电；在碱性介质中，Al3+离解占优势，端面电荷为负电；pH值为9.1左右为等电点。
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高纯蒙脱石的表面电性来自于以下三方面：
层电荷：每个晶胞可达0.6，且不受介质pH值的影响。这是蒙脱石表面负电性的主要原因。
破键电荷：产生于四面体片的基面、八面体片的端面，系Si-O破键和Al-O（OH）破键的水解作用所致。当pH值小于7时，破键吸引H+，表面带正电；当pH值大于7时，表面带负电。
八面体片中离子离解形成的电荷：在酸性介质中，OH-离解占优势，端面电荷为正电；在碱性介质中，Al3+离解占优势，端面电荷为负电；pH值为9.1左右为等电点。
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